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PC28F128P30T85B 发布时间 时间:2025/12/26 16:03:51 查看 阅读:12

PC28F128P30T85B是一款由英特尔(Intel)生产的128兆位(Mbit)的NOR闪存芯片,属于其StrataFlash Embedded Memory系列。该器件采用先进的闪存技术,支持多层存储单元(MLC)架构,能够在单个存储单元中存储多个比特信息,从而提高存储密度并降低成本。PC28F128P30T85B广泛应用于需要高可靠性、高性能和低功耗特性的嵌入式系统中,如工业控制设备、网络通信设备、医疗仪器以及汽车电子系统等。这款芯片封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在空间受限的应用场景中使用,并具备良好的热稳定性和电气性能。其工作温度范围通常覆盖工业级标准(-40°C至+85°C),适合在恶劣环境条件下长期运行。此外,该器件支持多种读写操作模式,包括快速页读取、块擦除和字节/字编程功能,满足复杂嵌入式应用的数据存取需求。由于其非易失性特性,即使断电后数据仍可长期保存,非常适合用于固件存储、启动代码存放及配置参数保存等关键任务场景。随着半导体工艺的进步,该型号已逐步被更新的产品所替代,但在一些遗留系统和特定工业领域中仍有广泛应用。

参数

制造商:Intel
  产品系列:StrataFlash Embedded Memory
  存储容量:128 Mbit
  存储器类型:NOR Flash
  接口类型:Parallel
  供电电压:2.7V ~ 3.6V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP-56
  访问时间:85ns
  组织结构:8M x 16位
  编程电压:内部电荷泵生成
  写保护功能:硬件WP引脚支持
  擦除方式:按块擦除(Sector Erase)
  总线宽度:16位

特性

PC28F128P30T85B具备多项关键特性,使其在嵌入式NOR Flash市场中占据重要地位。首先,其StrataFlash技术允许每个存储单元存储多个数据位,显著提升了存储密度,同时保持了与传统单层单元(SLC)NOR Flash相当的可靠性水平。这种多层单元设计通过精确的电压控制实现不同状态的识别,从而在不牺牲太多性能的前提下降低了单位存储成本,适用于对成本敏感但又要求较高容量的应用场景。
  其次,该芯片支持全电压范围内操作(2.7V至3.6V),兼容低电压系统设计,有助于降低整体系统功耗,延长电池寿命,特别适合便携式或远程部署的嵌入式设备。其内置电荷泵电路可在编程和擦除操作期间自动生成所需的高压,无需外部高压电源,简化了电源管理设计并减少了外围元件数量。
  再者,PC28F128P30T85B提供85纳秒的快速访问时间,确保处理器能够高效地从Flash中读取指令,支持XIP(eXecute In Place)执行模式,即代码可以直接在Flash中运行而无需加载到RAM,大幅节省内存资源并加快启动速度。这对于实时操作系统和嵌入式Bootloader应用尤为重要。
  此外,该器件具有良好的耐久性和数据保持能力,典型擦写次数可达10万次以上,数据保存时间超过20年,满足工业和汽车级应用的长期稳定性要求。它还集成了硬件写保护引脚(WP#),可在物理层面防止意外写入或擦除操作,增强系统的安全性与可靠性。
  最后,该芯片采用标准化的TSOP-56封装,引脚兼容性强,便于PCB布局和替换升级。尽管该型号已进入停产或接近生命周期末期阶段,但由于其成熟的技术和稳定的供货记录,在许多现有系统中依然被广泛采用。

应用

PC28F128P30T85B主要应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信设备领域,常用于路由器、交换机和基站控制器中存储固件、引导程序和配置文件,确保设备上电后能快速加载操作系统并进入正常工作状态。其XIP执行能力和快速读取性能使得网络设备能够实现毫秒级启动,提升整体响应效率。
  在工业自动化控制系统中,该芯片被集成于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)终端和传感器模块中,用于保存控制逻辑、校准参数和设备标识信息。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)确保在高温工厂环境或寒冷户外场所下仍能稳定运行,避免因温度波动导致数据丢失或系统故障。
  汽车电子方面,PC28F128P30T85B可用于车身控制模块(BCM)、仪表盘显示系统和车载诊断系统(OBD-II)中,存储车辆配置数据、故障码记录和用户设置信息。虽然现代汽车更多转向更高密度的SPI NOR或NAND Flash,但在一些老款车型或辅助子系统中仍可见其身影。
  此外,该器件也广泛应用于医疗设备,如便携式监护仪、超声成像系统和实验室分析仪器,用于存储设备校准曲线、操作协议和软件更新包。这些应用场景对数据完整性和长期稳定性有极高要求,而PC28F128P30T85B凭借其高耐久性和抗干扰能力,能够满足相关行业标准(如IEC 60601)。
  最后,在军事和航空航天领域,尽管该型号并非专门的抗辐射产品,但由于其经过充分验证的可靠性历史,部分地面支持设备和非关键航电系统也曾采用此芯片进行数据存储。总体而言,该器件适用于所有需要中等容量、高可靠性和并行接口访问的嵌入式存储场景。

替代型号

MT28EW128ABA1LPC-0SIT
  S29GL128P_85
  IS26LV128-H15T

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PC28F128P30T85B参数

  • 标准包装2,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列StrataFlash™
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型闪存 - 或非
  • 存储容量128M(8Mx16)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 2 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳64-TFBGA
  • 供应商设备封装64-EasyBGA(13x10)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称873881873881TR873881TR-NDPC28F128P30T85 873881PC28F128P30T85BTR