时间：2025/12/27 3:02:39
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PC28F128J3F75B是一款由英特尔（Intel）公司生产的128Mbit（16MB）NOR闪存芯片，采用先进的MirrorBit技术制造。该器件属于Intel StrataFlash Embedded Memory系列，具有非易失性存储特性，适用于需要高可靠性、快速读取和代码执行能力的应用场景。PC28F128J3F75B支持x8/x16两种数据总线模式，能够在嵌入式系统中直接运行程序代码（XIP, eXecute In Place），从而减少对外部RAM的依赖，提升系统效率。该芯片广泛应用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。其封装形式为60引脚FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。此外，该器件工作温度范围广，支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。内置的命令集支持块擦除、字编程和快速读取操作，并兼容通用的JEDEC接口标准，便于与多种微控制器和处理器集成。Intel还为该系列产品提供丰富的技术支持文档和开发工具，帮助用户快速完成产品设计与调试。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash Embedded Memory
存储容量：128 Mbit
存储结构：16 MB (2 MB x 8)
工艺技术：MirrorBit
电压范围：2.7V 至 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：60-FBGA
接口类型：并行（x8/x16）
访问时间：75 ns
编程电压：内部电荷泵生成
待机电流：< 15 μA
读取电流：< 30 mA
擦除/编程耐久性：典型10万次
数据保持时间：典型10年
组织结构：按扇区划分（可独立擦除）
PC28F128J3F75B采用Intel独有的MirrorBit技术，这项创新性的浮栅晶体管结构允许每个存储单元存储两个比特的数据，显著提高了存储密度而无需缩小工艺尺寸，从而在降低成本的同时增强了可靠性和耐久性。这种技术通过在氮化物层中存储电荷来实现多层电荷捕获，相比传统浮栅NOR Flash具备更优的抗辐射能力和数据保持能力。该芯片支持高效的块管理架构，包含多个可单独擦除的扇区（sector），使得固件更新和分区管理更加灵活，特别适合需要频繁更新部分代码或配置信息的应用场景。
该器件具备低功耗特性，在正常读取模式下电流小于30mA，而在待机或休眠状态下电流可低至15μA以下，非常适合对能耗敏感的嵌入式系统。其75ns的快速访问时间确保了高速指令读取能力，满足实时操作系统和高性能MCU的需求。此外，芯片内建智能写入状态检测机制，可通过查询DQ7/DQ6引脚判断编程或擦除操作是否完成，避免超时等待，提高系统响应效率。
PC28F128J3F75B支持硬件复位功能（RESET#引脚），可在异常情况下强制芯片进入已知状态，增强系统稳定性。它还具备VPP引脚用于可选的编程电压输入，但多数应用中可通过内部电荷泵完成编程操作，简化电源设计。该芯片符合工业级环境要求，能在-40°C到+85°C宽温范围内稳定工作，适应严苛的现场环境。所有引脚均兼容TTL电平，易于与各种主流处理器和FPGA连接。同时，其60-FBGA封装具有较小的占板面积和优良的热性能，有助于实现紧凑型高可靠性设计。
PC28F128J3F75B主要用于需要本地代码存储和快速启动能力的嵌入式系统中。典型应用包括路由器、交换机等网络通信设备中的BIOS或固件存储，因其具备随机访问能力和高可靠性，能够支持设备上电后迅速加载引导程序并执行初始化操作。在工业自动化领域，该芯片常被用于PLC控制器、HMI人机界面、远程IO模块等设备中，作为操作系统、应用程序及参数配置的非易失性存储介质。
在汽车电子方面，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统或车载信息娱乐系统的固件存储，其宽温特性和长期数据保持能力确保车辆在极端气候条件下仍能正常启动和运行。此外，在医疗设备如便携式监护仪、诊断仪器中，该Flash芯片也发挥着关键作用，用于保存校准数据、操作日志和系统软件，保障设备的安全性和合规性。
由于支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从PC28F128J3F75B中读取并执行代码，无需将程序复制到RAM中，这不仅节省了内存资源，还加快了系统启动速度。因此，它也被广泛应用于基于ARM、Power Architecture、MIPS等架构的嵌入式处理器系统中。对于需要长期供货保证和高稳定性的项目，Intel为该系列提供了较长的产品生命周期支持，使其成为工业和通信市场的优选方案之一。
MT28EW128ABA1LPC-0S3K
S29GL128P_70_10_0C
IS26KL128S-75BLI
