型号：PC28F064M29EWH
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：64 Mbit (8 MB)
　　组织结构：64Mb = 4 x 16Mb banks
　　电压范围：2.7V 至 3.6V（标准工作电压为3.3V）
　　访问时间：70ns / 90ns（根据不同版本）
　　封装形式：56-pin TSOP Type I
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　写入/擦除耐久性：典型值为100,000次擦写周期
　　数据保持时间：典型值10年（在正常存储条件下）
　　接口类型：并行异步接口
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　支持操作模式：读取、编程、块擦除、挂起/恢复、休眠等

PC28F064M29EWH具备多项先进的技术特性，使其在同类NOR Flash产品中具有较高的竞争力。首先，它采用了Intel独有的StrataFlash技术，允许每个存储单元存储多位数据，从而在不增加物理尺寸的前提下提升存储密度，同时维持良好的成本效益。这种多层存储机制通过精细的阈值电压控制来区分不同状态，结合片上纠错码（ECC）功能，有效提高了数据读写的准确性和长期可靠性。其次，该芯片支持硬件级写保护机制，包括VPP引脚控制和软件命令锁止功能，防止因意外写入或断电干扰导致的关键数据损坏，这对于存储系统引导代码或安全配置的应用尤为重要。此外，其内置的块擦除架构将整个64Mb空间划分为多个独立管理的物理块，用户可以按需进行局部擦除和重写，避免全片擦除带来的效率损失，也便于实现更高效的固件升级策略。在性能方面，PC28F064M29EWH提供快速的随机读取访问速度（最短可达70纳秒），确保CPU可以直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place），减少对外部RAM的依赖，优化系统资源使用。为了增强系统的容错能力，该器件还集成了状态轮询机制和写入暂停功能，允许在执行长时间擦除或编程操作时临时中断并响应高优先级任务，完成后自动恢复原操作，极大提升了多任务环境下的响应灵活性。另外，芯片内部配备智能电源管理系统，支持多种低功耗模式，如深睡眠模式下电流可降至几微安级别，非常适合电池供电或绿色节能型设备应用。最后，该器件符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），并通过了严格的ESD防护和电磁兼容性测试，能够在复杂电磁环境和极端温变条件下稳定运行，满足电信、交通、能源等行业对元器件可靠性的严苛要求。
　　

PC28F064M29EWH主要应用于对数据可靠性、读取速度和环境适应性要求较高的嵌入式系统中。一个典型的应用领域是网络与通信设备，例如路由器、交换机和无线基站，其中该芯片用于存储启动引导程序（Bootloader）、操作系统映像以及设备配置参数。由于其支持XIP（就地执行）功能，处理器可以直接从该Flash中读取并执行代码，无需先加载到RAM中，从而简化系统设计、降低内存开销并加快启动速度。在工业自动化控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块，PC28F064M29EWH常被用来保存用户程序、工艺配方和校准数据，其高耐久性和长数据保持能力确保即使在频繁更新或长期断电情况下也不会丢失关键信息。在汽车电子领域，该芯片可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块或ADAS（高级驾驶辅助系统）中的固件存储，特别是在需要符合AEC-Q100可靠性标准的环境中，尽管该型号本身并非车规认证产品，但在部分非核心子系统中仍有应用案例。此外，在医疗设备、测试测量仪器和军事通信设备中，该器件凭借其稳定的性能和抗干扰能力，承担着关键固件和诊断程序的存储任务。由于其并行接口设计，适合与传统微控制器或DSP直接连接，尤其适用于尚未过渡到SPI/QSPI等串行接口架构的老一代或专用系统平台。随着技术演进，虽然新型号已逐渐转向更高密度和更低功耗的设计，但PC28F064M29EWH因其成熟生态和广泛兼容性，仍在许多存量设备维护和替换市场中发挥重要作用。

MT28EW64A-70:D
　　S29GL064N90TFIR5