时间：2025/12/27 4:04:49
阅读：15
PC28F00AP33BF0是英特尔（Intel）推出的一款并行接口的NOR闪存芯片，属于其成熟的C3系列闪存产品线。该器件主要面向需要高可靠性、高性能和非易失性存储的工业控制、通信设备、汽车电子以及嵌入式系统等应用领域。作为一款基于0.13微米制造工艺的高性能闪存，PC28F00AP33BF0具备较高的存储密度和稳定的读写性能，适用于代码存储、固件启动和数据记录等关键任务场景。该芯片采用48引脚TSOP封装形式，具有良好的兼容性和焊接可靠性，适合在多种恶劣环境条件下长期运行。其工作电压通常为3.0V至3.6V，支持标准的5V耐压I/O接口，能够与多种传统微处理器和微控制器实现无缝连接。PC28F00AP33BF0支持页编程、块擦除和全片擦除等多种操作模式，并内置了命令寄存器接口（如Common Flash Interface, CFI），便于主机系统进行识别和配置。此外，该芯片还具备较强的抗干扰能力和数据保持能力，在极端温度环境下仍能保证数据完整性，因此被广泛应用于对稳定性要求极高的专业领域。尽管英特尔已逐步将重心转向新兴存储技术，但PC28F00AP33BF0仍在许多现有系统中持续服役，并有相应的替代方案可供升级使用。
型号：PC28F00AP33BF0
制造商：Intel
存储类型：NOR Flash
存储容量：128 Mbit（兆位）
组织结构：16 Mbyte（按字节寻址）
接口类型：并行接口（x16）
工作电压：3.0V ~ 3.6V
I/O电压：支持5V耐压
封装形式：48-pin TSOP Type I
引脚间距：0.5mm
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
读取访问时间：70ns / 90ns（典型值）
编程/擦除耐久性：10万次（典型）
数据保持时间：20年（典型）
擦除单位：块（Block）
编程单位：字或字节
是否支持JEDEC标准：是
是否支持CFI：是
PC28F00AP33BF0具备多项关键技术特性，使其成为工业级嵌入式系统中的理想选择。首先，该芯片采用先进的C3闪存工艺技术，实现了更高的集成度和更低的功耗，同时提升了编程和擦除操作的速度与可靠性。其128Mbit的存储容量以x16的并行接口方式组织，适合高速数据吞吐的应用场景，例如Boot Code存储、实时操作系统加载以及固件更新等任务。芯片内部划分为多个可独立擦除的存储块，这种分块结构允许用户进行局部擦除而不影响其他区域的数据，极大提高了系统的灵活性和效率。
其次，PC28F00AP33BF0支持完整的命令集控制机制，包括软件复位、自动选择、块擦除暂停、缓冲编程等功能，增强了系统的可控性和容错能力。通过通用闪存接口（CFI）的支持，主机系统可以动态读取芯片的物理特性和操作参数，从而实现跨厂商、跨型号的兼容性配置，简化了系统设计与维护流程。此外，该器件具备优异的环境适应性，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，满足严苛工业现场和车载环境的需求。
再者，该NOR闪存在数据保持和耐久性方面表现突出，标称可承受至少10万次的擦写循环，数据保存时间长达20年以上，确保了长期运行下的数据安全。其输入/输出引脚具备5V耐压能力，能够直接与传统的5V逻辑系统连接而无需电平转换电路，降低了外围设计复杂度和成本。整体而言，PC28F00AP33BF0在稳定性、兼容性和功能性之间取得了良好平衡，是一款成熟可靠的高性能NOR闪存解决方案。
PC28F00AP33BF0广泛应用于对数据可靠性和系统稳定性要求较高的工业与嵌入式领域。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备以及远程I/O模块，这些系统通常依赖于快速启动和持久化存储的固件程序，而该芯片的快速随机读取能力和非易失性特点正好满足此类需求。在通信基础设施中，它常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中作为BIOS或Bootloader的存储介质，保障设备上电后能够迅速完成初始化过程。
此外，在汽车电子领域，PC28F00AP33BF0被用于车身控制模块（BCM）、仪表盘控制单元、车载信息娱乐系统（IVI）以及高级驾驶辅助系统（ADAS）的子模块中，用于存储启动代码、校准参数或诊断信息。由于其宽温工作能力和高抗干扰性能，即使在车辆频繁启停、电压波动或电磁环境复杂的条件下也能稳定运行。
在医疗设备、测试仪器、航空航天及军事电子系统中，该芯片也因其高可靠性而受到青睐。例如，在便携式医疗监测仪中，可用于存储设备配置信息和出厂校准数据；在航空电子设备中，则用于关键飞行参数的记录与恢复。总体来看，PC28F00AP33BF0凭借其成熟的技术架构和广泛的兼容性，已成为众多长期服役设备中的核心存储组件之一。
S29GL128P_01|S29GL128P_12|MT28EW128ABA|W29GL128CH
