时间：2025/12/27 20:30:07
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PBYR6045WT是一款由Panjit International Inc.生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速反向恢复特性，适用于各种电源管理与保护电路中。其封装形式为SMA（DO-214AC），是一种表面贴装的小型化封装，便于在紧凑的PCB布局中使用。PBYR6045WT能够在高温环境下稳定工作，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于消费电子、工业控制、通信设备以及便携式电子产品中。
这款二极管的最大重复反向电压（VRRM）为60V，额定平均整流电流（IF(AV)）可达4.5A，在同类产品中表现出较高的电流承载能力。其低VF特性有助于减少导通损耗，提高系统整体能效，特别适合对功耗敏感的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。PBYR6045WT还具备优良的抗浪涌电流能力，可承受高达单个周期正弦半波50Hz条件下60A的峰值过载电流，增强了系统的安全性和耐用性。
类型：肖特基二极管
配置：单个
最大重复反向电压 VRRM：60V
最大平均整流电流 IF(AV)：4.5A
最大正向电压降 VF @ IF=4.5A：0.57V
最大反向漏电流 IR @ VR=60V, Ta=25°C：0.4mA
最大反向恢复时间 trr：典型值5ns
工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SMA (DO-214AC)
安装方式：表面贴装
峰值浪涌电流 IFSM：60A（半个周期，50Hz正弦波）
热阻 RθJA：约55°C/W
极性：中心阴极
湿度敏感等级 MSL：1级（<=30°C/85% RH）
PBYR6045WT的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而实现了极低的正向导通压降和几乎无延迟的开关响应。由于没有少数载流子的积累效应，该器件不存在电荷存储问题，因此在高频开关操作下不会产生显著的反向恢复电流，极大降低了开关损耗并减少了电磁干扰（EMI）。这对于DC-DC转换器、同步整流、续流与箝位等高频应用场景至关重要。
其正向电压降在4.5A的工作电流下仅为0.57V左右，相比传统快恢复二极管可降低功耗达30%以上，有效提升电源效率并减少散热需求。同时，该器件在高温条件下的反向漏电流仍保持较低水平，在125°C结温时IR通常不超过10mA，确保了高温运行的稳定性。
PBYR6045WT的SMA封装不仅体积小巧，占用PCB面积少，而且具有良好的散热性能，配合合理的PCB铜箔设计可以实现高效的热传导。该封装还支持自动化贴片工艺，适用于大规模回流焊生产流程，提高了制造效率和一致性。
此外，该器件经过严格的质量管控和可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）、温度循环（TC）等多项认证，保证了长期使用的可靠性。其高浪涌电流承受能力使其在面对瞬态负载或启动冲击时仍能保持稳定，避免因瞬间过流导致的损坏。这些综合特性使得PBYR6045WT成为中小功率电源系统中的理想选择。
PBYR6045WT广泛应用于多种电力电子电路中，尤其适用于需要高效、快速响应的直流电源系统。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流环节，特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）拓扑结构中作为次级侧整流元件，发挥其低VF和零反向恢复的优势，显著提升转换效率。
在DC-DC转换器模块中，该器件常用于同步整流替代方案或作为自举二极管，提供快速充放电路径，增强驱动能力。它也适用于电池充电管理系统中，用于防止电流倒灌，保护充电电路安全。
此外，在逆变器、LED驱动电源、适配器、机顶盒、路由器等消费类电子产品中，PBYR6045WT被广泛用作续流二极管或箝位二极管，抑制感性负载产生的反向电动势，保护主控开关器件如MOSFET免受高压击穿。
工业控制系统中的继电器驱动电路、电机控制板以及PLC模块也常采用此类高性能肖特基二极管来实现线圈能量释放路径。由于其具备较强的环境适应能力和稳定性，该器件同样适用于汽车电子外围电源管理、太阳能充电控制器等对可靠性和寿命要求较高的领域。
SBT60-045A-S,SBR6A60,SMS64-45AHE3_A/H
