时间：2025/7/17 22:32:39
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1N2821B 是一款硅材料制成的单向击穿二极管，属于齐纳二极管（Zener Diode）的一种。该器件主要用于电压调节、稳压和基准电压的生成。齐纳二极管在反向击穿区域工作，其击穿电压具有高度稳定性，适合在需要精确电压控制的电路中使用。1N2821B 以其精确的电压调节特性和广泛的工作温度范围而闻名，适用于多种电子设备和工业控制系统。
类型：齐纳二极管
材料：硅
额定功耗：500 mW
齐纳电压（Vz）：4.7V
齐纳电流（Iz）：10 mA
容差：±5%
工作温度范围：-65°C 至 +200°C
封装形式：玻璃轴向封装（DO-7）
1N2821B 齐纳二极管的主要特性包括稳定的齐纳击穿电压和较宽的工作温度范围。其齐纳电压在4.7V时具有±5%的容差，确保在不同应用条件下电压调节的准确性。
此外，该器件的额定功耗为500 mW，能够支持较高的能量耗散，适用于中高功率的稳压应用。齐纳二极管的反向特性使其能够在击穿区域工作而不损坏，同时保持电压恒定。
1N2821B 采用玻璃轴向封装（DO-7），这种封装形式提供了良好的机械强度和热稳定性，同时便于在印刷电路板（PCB）上的安装和焊接。
由于其优异的温度稳定性，1N2821B 在高温和低温环境下都能保持良好的性能，适用于恶劣环境中的电子系统。
1N2821B 常用于需要稳定电压调节的电路设计中。例如，在电源电路中作为基准电压源，为运算放大器、模数转换器（ADC）和其他精密模拟电路提供参考电压。
在工业控制系统中，1N2821B 可以用于保护电路免受过电压影响，确保系统的稳定性和可靠性。
此外，该器件也广泛应用于测量仪器、传感器接口电路以及电池供电设备中，用于维持电路中的恒定电压水平。
由于其出色的温度稳定性和可靠性，1N2821B 还常用于航空航天、汽车电子和通信设备等对性能要求较高的领域。
1N4732A, BZX84C4V7
