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PBU608 发布时间 时间:2025/9/6 2:36:23 查看 阅读:2

PBU608 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电力电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力,能够有效降低导通损耗并提高系统效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A
  导通电阻(Rds(on)):最大3.2mΩ(在Vgs=10V时)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

PBU608 MOSFET 具备多项优异特性,适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。首先,其极低的导通电阻 Rds(on) 有助于降低导通损耗,提高系统效率,从而减少散热设计的复杂性。其次,该器件的额定漏极电流高达110A,能够在高负载条件下稳定运行。
  此外,PBU608 支持 ±20V 的栅源电压,具有较强的抗电压波动能力,提高了在复杂电磁环境中的可靠性。其最大漏源电压为60V,适用于中高压功率转换应用,如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统等。
  该MOSFET采用 TO-263(D2Pak)封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于安装在PCB上并实现高效的散热管理。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应性强,适合工业和汽车电子等严苛环境下的使用。
  综合来看,PBU608 是一款性能稳定、高效可靠的功率MOSFET,广泛适用于各种高功率电子系统设计中。

应用

PBU608 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件在电源管理领域表现出色,有助于提高系统整体效率并降低能耗。

替代型号

IRF1404, STP110N6F6, IPB013N06N3

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