类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A
　　导通电阻(Rds(on))：最大3.2mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗(Pd)：160W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

PBU608 MOSFET 具备多项优异特性，适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。首先，其极低的导通电阻 Rds(on) 有助于降低导通损耗，提高系统效率，从而减少散热设计的复杂性。其次，该器件的额定漏极电流高达110A，能够在高负载条件下稳定运行。
　　此外，PBU608 支持 ±20V 的栅源电压，具有较强的抗电压波动能力，提高了在复杂电磁环境中的可靠性。其最大漏源电压为60V，适用于中高压功率转换应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电池管理系统等。
　　该MOSFET采用 TO-263（D2Pak）封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在PCB上并实现高效的散热管理。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应性强，适合工业和汽车电子等严苛环境下的使用。
　　综合来看，PBU608 是一款性能稳定、高效可靠的功率MOSFET，广泛适用于各种高功率电子系统设计中。

PBU608 主要应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在电源管理领域表现出色，有助于提高系统整体效率并降低能耗。

IRF1404, STP110N6F6, IPB013N06N3