时间：2025/9/6 4:11:17
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PBU604是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换和控制的电路设计中。该器件采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
漏源击穿电压（VDS）：40V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为12.5mΩ（在VGS=10V条件下）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6、TO-220、TO-263等
PBU604具有极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异，同时降低发热，提高可靠性。
该MOSFET支持较高的栅极电压（最高20V），允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制，同时具备较强的抗过压能力。此外，PBU604的封装设计优化了热管理，确保在高功率条件下仍能保持良好的散热性能。
器件内部的沟道结构经过优化，以减少开关损耗，并提升高频应用中的性能。这使其非常适合用于开关电源（SMPS）、同步整流器、负载开关以及工业自动化控制系统等场合。
由于其优异的电气特性和高可靠性，PBU604在汽车电子、工业电源、消费类电子产品以及通信设备中均有广泛应用。
PBU604适用于多种功率电子系统，包括但不限于：
1. DC-DC降压/升压转换器：用于高效能量转换，如在便携式设备、电源适配器和车载充电器中。
2. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED驱动、风扇控制和电机驱动。
3. 电源管理系统：用于电池供电设备中的高效电源管理，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
4. 工业控制：用于工业自动化设备中的电机控制、继电器驱动和电源分配系统。
5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身电子控制模块和电动车电池管理系统。
STP60NF06, FDP6030L, IRFZ44N, IPD60R017C7
