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PBU604 发布时间 时间:2025/9/6 4:11:17 查看 阅读:5

PBU604是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率转换和控制的电路设计中。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):60A
  漏源击穿电压(VDS):40V
  栅源击穿电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为12.5mΩ(在VGS=10V条件下)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6、TO-220、TO-263等

特性

PBU604具有极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现优异,同时降低发热,提高可靠性。
  该MOSFET支持较高的栅极电压(最高20V),允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制,同时具备较强的抗过压能力。此外,PBU604的封装设计优化了热管理,确保在高功率条件下仍能保持良好的散热性能。
  器件内部的沟道结构经过优化,以减少开关损耗,并提升高频应用中的性能。这使其非常适合用于开关电源(SMPS)、同步整流器、负载开关以及工业自动化控制系统等场合。
  由于其优异的电气特性和高可靠性,PBU604在汽车电子、工业电源、消费类电子产品以及通信设备中均有广泛应用。

应用

PBU604适用于多种功率电子系统,包括但不限于:
  1. DC-DC降压/升压转换器:用于高效能量转换,如在便携式设备、电源适配器和车载充电器中。
  2. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED驱动、风扇控制和电机驱动。
  3. 电源管理系统:用于电池供电设备中的高效电源管理,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
  4. 工业控制:用于工业自动化设备中的电机控制、继电器驱动和电源分配系统。
  5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身电子控制模块和电动车电池管理系统。

替代型号

STP60NF06, FDP6030L, IRFZ44N, IPD60R017C7

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PBU604参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类桥式整流器
  • 产品Single Phase Bridge
  • 峰值反向电压400 V
  • 最大 RMS 反向电压280 V
  • 最大浪涌电流250 A
  • 正向电压下降1 V
  • 最大反向漏泄电流10 uA
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 长度23.7 mm
  • 宽度7.1 mm
  • 高度19.3 mm
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体PBU
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量500