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LESD11LL3.3CT5G 发布时间 时间:2025/8/13 22:43:48 查看 阅读:19

LESD11LL3.3CT5G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的低电容、双线ESD(静电放电)保护二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术,能够在极短的时间内将高能量的ESD脉冲导通至地,从而保护下游电路不受损坏。LESD11LL3.3CT5G特别适用于低压、高速数据线路,如USB、HDMI、以太网和其他高速通信接口。该器件采用小型DFN(Dual Flat No-lead)封装,节省PCB空间,适用于便携式电子设备和高密度电路设计。

参数

工作电压:3.3V
  钳位电压:最大8.5V(在IEC 61000-4-2 Level 4条件下)
  反向击穿电压:最小4.3V
  峰值脉冲电流:11A(8/20μs波形)
  漏电流:最大100nA
  电容(典型值):0.5pF(在1MHz下)
  封装形式:DFN-6
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LESD11LL3.3CT5G具有多项显著的技术特性,使其成为高速电路中ESD保护的理想选择。
  首先,该器件具有极低的结电容(典型值为0.5pF),这对于高速信号线路的完整性至关重要。高电容可能会引起信号衰减或失真,尤其是在高频通信接口中。LESD11LL3.3CT5G的低电容特性使其适用于USB 3.0、HDMI 1.4/2.0、DisplayPort、以太网等高速数据传输应用,确保在不影响信号质量的前提下提供有效的ESD保护。
  其次,该器件具有优异的ESD保护性能,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准(空气放电±15kV,接触放电±8kV),能够承受高达11A的峰值脉冲电流(8/20μs波形),确保在极端静电环境下仍能稳定工作。这种高抗扰能力使得LESD11LL3.3CT5G广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备中。
  此外,LESD11LL3.3CT5G采用DFN-6封装,尺寸小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用。该封装还具有良好的热性能和机械稳定性,能够承受较高的工作温度范围(-55°C至+150°C),适用于恶劣环境条件下的应用。
  该器件的漏电流非常低(最大100nA),确保在正常工作状态下不会对电路造成额外的功耗或干扰,适用于低功耗设计和电池供电设备。其反向击穿电压最低为4.3V,确保在3.3V系统中不会因误触发而影响电路正常工作,同时提供可靠的过压保护。
  综上所述,LESD11LL3.3CT5G凭借其低电容、高ESD耐受能力、小封装尺寸和低漏电流等优势,成为现代电子设备中不可或缺的ESD保护解决方案。

应用

LESD11LL3.3CT5G广泛应用于需要高速信号线路保护的各类电子设备中。它特别适用于USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网、RS-485、CAN总线等高速通信接口,以防止静电放电对敏感IC造成损坏。该器件也常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式设备的I/O端口保护。在工业自动化系统中,LESD11LL3.3CT5G可用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器和通信模块的接口保护,以提高设备在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。此外,该器件还可用于医疗设备、汽车电子、安防监控系统等领域,确保关键信号线路在受到静电或瞬态电压冲击时仍能正常工作。由于其优异的性能和小尺寸封装,LESD11LL3.3CT5G特别适合用于高密度PCB布局和对空间要求严格的嵌入式系统。

替代型号

LESD11LL3.3CT5G的替代型号包括PESD11LL3.3A、LESD11L3.3CT5G、SP3011BA-3.3V、ESD9L3.3ST5G、RCLAMP1111B-3.3

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