类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压VDS：25V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：250A
　　导通电阻RDS(on)：1.2mΩ（典型值）
　　功率耗散PD：180W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：LFPAK56 (Power-SO8)

PSMN1R2-25YL115采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其1.2mΩ的典型RDS(on)值使其非常适合用于高电流开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制。
　　该器件的LFPAK56封装是一种高性能表面贴装封装，具有双面散热能力，能够有效提升热性能，同时兼容标准SMT工艺，提高了生产效率和装配可靠性。此外，该封装设计减少了引线电感，提高了开关性能，有助于降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　PSMN1R2-25YL115支持宽范围的栅极驱动电压，适合与多种驱动IC配合使用，具备良好的兼容性。其坚固的结构设计和宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在恶劣环境下也能保持稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、服务器电源等对可靠性要求较高的场景。

PSMN1R2-25YL115广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中，例如服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统中的功率管理模块。
　　在服务器和数据中心电源系统中，该MOSFET用于同步整流、电压调节模块（VRM）和多相供电系统，帮助实现更高的能源效率和功率密度。在汽车电子领域，PSMN1R2-25YL115可用于车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统（EPS）等关键部件，确保在高温和高电流环境下稳定运行。
　　此外，该器件也可用于工业自动化设备中的电机控制和电源管理，提供高可靠性和长使用寿命。由于其出色的热性能和电流处理能力，该MOSFET也适合用于高功率LED照明、智能电表和储能系统等新兴应用领域。

SiSS120N10NM5-GE3, BSC120N10NS5AG