时间：2025/9/14 17:39:11
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PBSS9110X,135 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench MOS 技术制造，适用于高效率功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等场合。其封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），具备优良的热性能和空间效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大值 0.75mΩ（典型值 0.65mΩ）
功耗(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：LFPAK56 (Power-SO8)
PBSS9110X,135 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
该器件采用了 Nexperia 的 Trench MOS 技术，提供卓越的开关性能和热稳定性。
其高耐压能力（30V Vds）使其适用于各种中压功率转换应用。
LFPAK56 封装具有优异的散热性能，同时支持双面散热，适用于高密度 PCB 设计。
此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量耐受能力，提高了器件在恶劣工况下的可靠性。
器件符合 RoHS 和 REACH 标准，适用于工业级和汽车级应用。
PBSS9110X,135 常用于高性能 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的功率开关应用。
其高电流能力和低导通电阻使其成为高效电源管理系统的理想选择，特别是在需要高功率密度和低热阻的场合。
在汽车应用中，它适用于车载充电器、48V 轻混系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。
此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、服务器电源和 UPS 系统中。
SiSS110N10N-T1-GE3, Infineon BSC110N10NS5
