晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT363
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：50 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50 V
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　电流增益（hFE）：在2 mA时为110至800（具体数值根据数据手册分档）
　　过渡频率（fT）：250 MHz

PBSS9110S 具备多项优异的电气和物理特性，适用于广泛的应用场景。
　　首先，该晶体管具有较高的过渡频率（fT）达到250 MHz，使其在高频放大电路中表现出色，能够满足射频和高速数字信号处理的需求。
　　其次，其电流增益（hFE）在2 mA时可达到110至800，具体数值根据不同的分档标准有所不同，这种高增益特性使其在信号放大和开关电路中表现优异。
　　此外，PBSS9110S 采用SOT363封装，这种封装形式不仅体积小，节省PCB空间，而且具备良好的热稳定性和机械强度，适合高密度电路板设计。
　　同时，该器件的最大集电极-发射极电压（VCE）和集电极-基极电压（VCB）均达到50 V，表明其适用于中高压应用场合，能够承受较高的电压应力。
　　最后，PBSS9110S 的最大功耗为200 mW，表明其在正常工作条件下具有良好的散热性能，适用于连续工作环境。

PBSS9110S 主要用于以下应用领域：
　　1. 模拟和数字电路中的信号放大器设计，特别是在需要高频响应的场合。
　　2. 作为开关元件用于控制负载的通断，如LED驱动、继电器控制等。
　　3. 在音频放大器和射频前端模块中用于信号调节和处理。
　　4. 用于工业自动化设备和消费电子产品中的接口电路设计，以实现信号转换和隔离功能。
　　5. 在电源管理和电池充电电路中，用于控制电流流动和电压调节。
　　由于其封装小巧且性能稳定，PBSS9110S 也广泛应用于便携式电子设备和高密度PCB设计中。

BC847BS, BC857B, MMBT3904