时间：2025/9/14 8:19:28
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PBSS5560PA,115 是一款由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）制造的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有低导通电阻和高电流能力，适用于各种高效率电源转换应用。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A（在Tamb=25°C）
功耗（Ptot）：83W
RDS(on)：最大9.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
PBSS5560PA,115具备非常低的导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术，确保了卓越的热性能和高频操作能力。此外，它具有较高的雪崩能量耐受能力，适用于需要高可靠性的应用场景。封装形式为TO-220，便于安装和散热。该MOSFET还具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗。
这款MOSFET的封装设计考虑了热管理和机械强度，能够在高电流和高温度环境下稳定运行。其高耐压能力和低导通电阻使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用。此外，PBSS5560PA,115的快速开关特性也使其适用于高频开关电源设计。
PBSS5560PA,115广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池充电器、工业控制系统、汽车电子以及高效率开关电源（SMPS）等场景。由于其出色的热性能和高电流能力，它特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。
IRF1405, STD100N6F7AG, FDP7030AL
