时间：2025/9/14 0:26:56
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PBSS5350THR是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench沟槽技术，适用于高效率的功率转换和开关应用。该器件封装为TSOP6，具有小型化、轻量化和高可靠性等特点，适用于电源管理、电池供电设备、负载开关以及工业控制等领域。PBSS5350THR具有较低的导通电阻（RDS(on)），在4.5V栅极驱动电压下可实现高效的功率传输。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5.3A
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（在VGS=4.5V时）
阈值电压（VGS(th)）：0.6V至1.5V
功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TSOP6
PBSS5350THR采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，能够在较小的封装尺寸内提供优异的电气性能。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TSOP6封装具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和使用寿命。PBSS5350THR还具有较强的抗静电能力，符合工业级ESD标准，适合在复杂电磁环境中使用。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在2.5V至10V之间工作，使其适用于多种控制电路设计。同时，其快速开关特性和低交叉损耗使其在DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用中表现出色。
PBSS5350THR广泛应用于各种电子设备中的功率管理电路，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该器件可用于优化电源效率，延长电池续航时间。在工业自动化和电机控制应用中，PBSS5350THR可用于构建高效的开关电路和电源管理系统。
由于其小型封装和高可靠性，该MOSFET也适用于空间受限的设计，如传感器模块、物联网设备和智能穿戴设备。此外，PBSS5350THR还可用于LED照明驱动、电源分配系统和智能电源插座等应用。
PBSS5350T, NVTFS5C458NL, BSS138K, 2N7002, Si2302DS
