类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5A（在VGS=10V）
　　漏极电流脉冲(IDM)：20A
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ（在VGS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：6.5nC
　　功率耗散(PD)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DFN2020D-8 (SOT1118)

PBSS5350T-Q采用了先进的Trench MOS工艺，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，其封装设计优化了热性能，能够有效地将热量从芯片传导出去，从而提高器件的可靠性和使用寿命。该器件还具备较高的电流承受能力，能够在短时过载条件下保持稳定运行。
　　这款MOSFET的封装尺寸小巧，仅为2.0mm x 2.0mm，非常适合用于空间受限的电路设计。其高功率密度和优异的热管理特性，使得该器件能够在高功率密度的DC-DC转换器、电源管理系统以及负载开关等应用中表现出色。此外，PBSS5350T-Q的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V、5V及10V驱动电压，便于与各种控制电路兼容。

PBSS5350T-Q广泛应用于电源管理领域，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其高效率和小尺寸封装，该器件特别适合用于便携式电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及服务器和通信设备中的电源模块。此外，该MOSFET也可用于电机驱动、LED照明控制以及各种高效率功率转换系统。

SI2302DS-T1-GE3, AO3400A, BSS138K