PBSS5350T-Q是一款由Nexperia(安世半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用Trench MOS技术,具有低导通电阻和高效率的特性,适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。该器件采用DFN2020D-8(SOT1118)封装,具有良好的热性能和空间效率,适合在空间受限的环境中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):5A(在VGS=10V)
漏极电流脉冲(IDM):20A
导通电阻(RDS(on)):50mΩ(在VGS=10V)
栅极电荷(Qg):6.5nC
功率耗散(PD):2.5W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装:DFN2020D-8 (SOT1118)
PBSS5350T-Q采用了先进的Trench MOS工艺,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。此外,其封装设计优化了热性能,能够有效地将热量从芯片传导出去,从而提高器件的可靠性和使用寿命。该器件还具备较高的电流承受能力,能够在短时过载条件下保持稳定运行。
这款MOSFET的封装尺寸小巧,仅为2.0mm x 2.0mm,非常适合用于空间受限的电路设计。其高功率密度和优异的热管理特性,使得该器件能够在高功率密度的DC-DC转换器、电源管理系统以及负载开关等应用中表现出色。此外,PBSS5350T-Q的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的3.3V、5V及10V驱动电压,便于与各种控制电路兼容。
PBSS5350T-Q广泛应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其高效率和小尺寸封装,该器件特别适合用于便携式电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及服务器和通信设备中的电源模块。此外,该MOSFET也可用于电机驱动、LED照明控制以及各种高效率功率转换系统。
SI2302DS-T1-GE3, AO3400A, BSS138K