时间：2025/9/14 5:55:26
阅读：11
PBSS5350D,135 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，适用于高效率功率转换和负载开关应用。该器件采用小型DFN1006-3封装，具备低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统以及汽车电子等对空间和效率要求较高的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压VDS：50V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：1.5A
漏极脉冲电流IDM：5A
导通电阻RDS(on)：最大值500mΩ（在VGS=10V）
功率耗散PD：1W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：DFN1006-3
PBSS5350D,135具备多项优良特性，适用于多种功率控制场景。
首先，该器件采用了先进的TrenchMOS技术，实现了较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体能效。在VGS为10V时，RDS(on)的最大值为500mΩ，适用于低电压大电流的功率转换应用。
其次，该MOSFET具有较高的电压和电流耐受能力。其漏源电压（VDS）为50V，栅源电压（VGS）可达±20V，具有较强的抗电压波动能力。连续漏极电流为1.5A，漏极脉冲电流可达5A，适合应对短时间高电流负载的应用场景。
此外，该器件采用DFN1006-3小型封装，尺寸仅为1.0mm x 0.6mm，节省PCB空间，适合高密度设计。该封装还具备良好的热性能，确保器件在高负载下仍能稳定运行。
最后，PBSS5350D,135具有宽工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于严苛的工业和汽车环境，确保在高温或低温条件下仍能保持稳定性能。
PBSS5350D,135广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及汽车电子等。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于高效率的电压调节模块（VRM）和同步整流电路，提高整体能效并降低功耗。
在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性有助于减小能量损耗，提升转换效率，适用于便携式设备、嵌入式系统和服务器电源模块。
作为负载开关，该器件可用于控制电源线路的通断，实现节能和保护电路的功能，适用于移动设备、智能家居和工业控制系统。
在汽车电子应用中，由于其宽温度范围和高可靠性，可应用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车载信息娱乐系统等场景。
Si2302DS, BSS138, AO3400A
