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PBSS5350D,125 发布时间 时间:2025/9/14 7:53:43 查看 阅读:19

PBSS5350D,125 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能NPN型双极结型晶体管(BJT),采用增强型高速开关技术,适用于高频率和高效率的开关应用。该晶体管封装在SOT-223封装中,具有良好的热性能和可靠性,适合用于电源管理和负载开关等场合。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  直流电流增益(hFE):110(最小值,@ IC=2mA)
  过渡频率(fT):100MHz
  集电极-基极击穿电压(VCBO):50V
  发射极-基极击穿电压(VEBO):5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOT-223

特性

PBSS5350D,125 具备多项优良特性,使其在多种电子电路中表现出色。首先,其较高的过渡频率(fT)达到100MHz,使得该晶体管适用于高频开关应用。其次,晶体管的直流电流增益(hFE)在IC=2mA时最小可达110,提供了良好的放大性能和稳定的开关特性。
  此外,该器件采用SOT-223封装,具有优异的热管理能力,能够在较高温度下稳定运行。最大功耗为300mW,支持其在中等功率应用中使用。VCEO和VCBO均为50V,适合中高压开关应用。同时,其低饱和电压(VCE(sat))在最大额定电流下也保持在较低水平,有助于减少能量损耗,提高系统效率。
  这款晶体管还具备良好的抗静电能力,增强了其在实际应用中的可靠性。此外,其标准化的引脚排列使其兼容多种电路设计,方便替换和升级。

应用

PBSS5350D,125 主要应用于各种电子设备中的开关和放大电路。例如,该晶体管可广泛用于电源管理系统、LED驱动电路、继电器驱动器、信号放大器、逻辑电平转换器以及各类嵌入式控制系统。由于其高频特性和低饱和电压,特别适用于需要高效能和高稳定性的场合,如通信设备、工业自动化、消费电子产品以及汽车电子系统。
  在汽车电子应用中,它可用于传感器信号处理、灯控系统、车载信息娱乐系统等,满足汽车环境对温度和可靠性的严格要求。在工业控制领域,该晶体管可以用于电机控制、PLC模块、传感器接口电路等。在消费类电子产品中,如智能家电、音响设备和智能家居控制系统中,也能发挥良好的性能。

替代型号

BC847, 2N3904, BC547, PN2222

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PBSS5350D,125参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大750mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-7319-6