时间：2025/9/14 8:40:29
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PBSS5330X,135 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 Trench MOS 技术制造，适用于高效率功率开关应用。该器件采用无铅、符合 RoHS 标准的 SOT1220 封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS：30 V
栅源电压 VGS：±20 V
连续漏极电流 ID：180 A（@ Tc=25°C）
导通电阻 RDS(on)：3.3 mΩ（@ VGS=10 V）
功耗 PD：140 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：SOT1220（表面贴装）
PBSS5330X,135 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流条件下具有较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该 MOSFET 采用先进的 Trench MOS 技术，提供更高的沟道密度和更佳的开关性能，从而减少了开关损耗。
其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，例如服务器电源、电动汽车电池管理系统和工业电源设备。
器件还具备良好的热管理能力，封装设计优化了热阻，使得在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。
此外，PBSS5330X,135 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在非正常工作条件下提供额外的可靠性。
其栅极设计支持快速开关操作，减少了开关延迟和上升/下降时间，有助于提高系统的动态响应性能。
该器件符合 RoHS 和 REACH 环保标准，适合环保要求较高的应用场合。
PBSS5330X,135 主要应用于需要高效功率控制的系统中，如服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率开关单元。
由于其高电流能力和低导通电阻，它也常用于同步整流器设计和高效率电源适配器中。
此外，该 MOSFET 可用于电动工具、电动自行车等便携式设备的功率管理系统，提供稳定的开关性能和良好的热管理能力。
在新能源应用中，例如太阳能逆变器和储能系统，该器件也被广泛采用以提升整体系统效率和可靠性。
SiSS138DN-T1-GE3, IPP138N10N5-03, BSC138N10NS5AG
