时间：2025/9/14 8:00:15
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PBSS5230T,215 是一款由Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，适用于高效能开关应用。该器件封装为SOT-223，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：5.2A
脉冲漏极电流(IDM)：16A
导通电阻(RDS(on))：0.036Ω @ VGS=10V
功率耗散(Ptot)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-223
PBSS5230T,215具备极低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的TrenchMOS工艺，提供更高的单位面积电流密度和更小的芯片尺寸，从而实现了更紧凑的设计。
其SOT-223封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力开关条件下的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的稳定工作，适用于多种驱动电路配置。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，使其非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流电路和马达控制电路等。
此外，PBSS5230T,215符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费类电子设备。
PBSS5230T,215广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电池供电设备、LED驱动电路、电机控制模块以及工业自动化控制系统。由于其高效的导通特性和良好的热稳定性，该器件也常用于高密度电源模块和便携式电子设备中，以提升整体能效和可靠性。
Si2302DS, AO3400A, FDS6680, IRLML2402
