时间：2025/12/27 8:41:33
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1N60L-B-AA3-R是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-323封装。该器件专为在高频开关电源、便携式电子设备和低电压应用中实现高效整流而设计。其主要特点是具有较低的正向压降和快速的反向恢复时间，使其非常适合用于提高系统效率并减少功率损耗的应用场景。1N60L-B-AA3-R的命名遵循JEITA标准，其中“1N60”表示其为小型信号二极管，“L”代表低电容特性，“B”表示材料为硅肖特基，“AA3-R”为厂商特定的批次与包装标识。该二极管广泛应用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及需要紧凑尺寸和高性能的场合。由于其小型化封装和优异的电气性能，1N60L-B-AA3-R特别适合自动化贴片生产线使用，支持回流焊工艺，并具备良好的热稳定性和长期可靠性。
类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-323
极性：单路
最大重复反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
平均整流电流（IO）：300mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
最大正向电压（VF）：550mV @ 10mA, 25°C
最大反向漏电流（IR）：1μA @ 60V, 25°C
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻抗（RθJA）：350 K/W
电容（CT）：10pF @ 4V, 1MHz
1N60L-B-AA3-R的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为550mV，在10mA的工作电流下即可显著降低功耗，提升整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。同时，该器件具备非常快的开关速度，反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，因此在高频开关电路中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计。
该二极管具有良好的温度稳定性，其反向漏电流在高温环境下仍保持较低水平，最大仅为1μA（在60V偏置下，25°C时），确保了在各种工作条件下的可靠运行。此外，其高达60V的反向耐压能力使其适用于多种低压直流电源系统，如USB供电、DC-DC转换器、适配器等。器件的平均整流电流可达300mA，足以满足大多数中小功率应用需求。
SOD-323封装体积小巧，仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，极大节省了PCB空间，适用于高密度布局的现代电子产品。该封装还具备优良的散热性能和机械强度，能够承受多次热循环而不易开裂。1N60L-B-AA3-R符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持绿色环保制造。生产过程中采用无卤素材料，进一步提升了环保性能。器件通过AEC-Q101车规级认证的可能性需查阅最新数据手册，但其基本规格已满足工业级应用标准，广泛用于智能手机、平板电脑、无线耳机、物联网终端、LED驱动电路等领域。
1N60L-B-AA3-R常用于各类便携式电子产品的电源整流与极性保护电路中，例如在USB接口处防止反接损坏主控芯片。它也广泛应用于DC-DC升压或降压转换器的续流二极管位置，利用其低正向压降特性减少能量损失，提高转换效率。在电池充电管理模块中，该二极管可用于隔离主电源与备用电池，防止倒灌电流。此外，在高频信号检波、小信号整流、钳位电路和静电放电（ESD）保护路径中也有出色表现。由于其低电容特性（典型10pF），在高速数字电路中可作为信号整形元件使用，避免信号反射和过冲。在通信模块如Wi-Fi、蓝牙模组中，常用于射频前端的偏置电路或电源去耦路径。工业传感器、智能电表、医疗可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用也是其典型使用场景。
BAS40-04W
