时间：2025/9/14 10:51:26
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PBSS5160PAP,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N通道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热性能。其主要设计用于需要高功率密度和高能效的电源管理和功率转换应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备。该MOSFET采用DFN5x6封装，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合现代电子设备中对空间和效率有严格要求的设计场景。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：80A（Tc=25°C）
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：DFN5x6
安装类型：表面贴装
功耗（PD）：105W
PBSS5160PAP,115具有多项突出的电气和热性能，适合高效率功率应用。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件的高栅极电压容限（±20V）使其在驱动电路设计中更加灵活，同时具备更强的抗干扰能力。此外，该MOSFET采用先进的封装技术，提供了良好的热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该MOSFET的DFN5x6封装尺寸小巧，节省PCB空间，并具有优异的热传导性能，有助于简化散热设计。适用于高功率密度的应用场景，如服务器电源、通信设备、工业自动化系统以及电动工具和电池管理系统。
PBSS5160PAP,115还具备优异的雪崩能量承受能力，提高了器件在高压瞬态条件下的可靠性。其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统效率。这些特点使得该器件成为高性能功率转换和控制系统的理想选择。
PBSS5160PAP,115广泛应用于需要高效功率管理的多个领域。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池充电管理系统以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于电信设备、服务器电源、UPS（不间断电源）系统以及高功率便携式电子产品。其优异的热性能和紧凑的封装设计，使其特别适合空间受限且需要高效率功率转换的嵌入式系统。
SiSS5160N, Infineon的BSC085N06NS5, STMicroelectronics的STP80NF06L, ON Semiconductor的NTMFS5C608MT4
