时间：2025/8/13 13:56:47
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MMUN2235RLT1 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（BJT）阵列，属于数字晶体管（Digital Transistor）系列。该器件内部集成了两个晶体管，通常被配置为达林顿对管（Darlington Pair）形式，以提供更高的电流增益。该器件采用SOT-23封装，适用于需要高增益和紧凑设计的电路应用。
晶体管类型：NPN 达林顿对管
集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
电流增益（hFE）：最高可达 5000（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
MMUN2235RLT1 的主要特性之一是其内部集成了一个达林顿对管结构，这种配置使得该晶体管具有极高的电流放大倍数，通常可达5000倍以上，非常适合用于需要高灵敏度控制的电路设计。此外，该器件具有较低的饱和电压，有助于减少功耗并提高电路效率。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。
在可靠性方面，MMUN2235RLT1 设计有良好的热保护和过载保护能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至150°C）。这种特性使其适用于多种环境条件，包括工业控制和汽车电子系统。此外，该晶体管的响应速度快，适合用于数字开关电路和脉冲控制应用。
由于其高增益特性，MMUN2235RLT1 常用于驱动继电器、小型电机、LED阵列以及其他需要较高电流放大的负载控制电路中。它也可以作为前置放大器或缓冲器使用，以增强信号的驱动能力。
MMUN2235RLT1 主要应用于需要高电流增益的场合，例如传感器信号放大、继电器驱动、小型电机控制、LED驱动电路、逻辑电平转换以及各种嵌入式控制系统。由于其高可靠性和紧凑封装，也常见于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中。
MMUN2234RLT1, FJN2235TL, MMBT2235
