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PBSS5130T,215 发布时间 时间:2025/9/14 19:15:29 查看 阅读:14

PBSS5130T,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极型晶体管(BJT),专为高功率和高频应用而设计。该器件采用PNP结构,适用于需要高效功率放大的电路设计,例如音频放大器、功率调节电路和工业控制系统。PBSS5130T,215 采用了先进的制造工艺,确保了其在高电流和高电压条件下的可靠性和稳定性。该晶体管的封装形式为SOT-223,这是一种常见的表面贴装封装,适合自动化装配和高密度PCB布局。

参数

类型:PNP双极型晶体管
  最大集电极电流:3A
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大集电极-基极电压:40V
  最大功耗:1.5W
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-223
  电流增益(hFE):最低110(在2mA/5V条件下)
  频率响应:25MHz(典型值)

特性

PBSS5130T,215 是一款高性能的PNP双极型晶体管,具有出色的电气性能和稳定性。其最大集电极电流可达3A,适用于需要较高电流输出的应用。最大集电极-发射极电压为30V,使得该晶体管能够在较高电压条件下稳定工作,适用于多种功率放大和电源管理应用。
  该晶体管的最大功耗为1.5W,能够承受一定的热负荷,同时其SOT-223封装形式具有良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性。此外,PBSS5130T,215 的工作温度范围广泛,最高可达150°C,适合在高温环境下使用。
  在电气特性方面,PBSS5130T,215 具有较高的电流增益(hFE),最低可达110,在2mA/5V的工作条件下仍能保持良好的放大性能。这使得该晶体管在需要高增益的电路设计中表现出色,例如音频放大器和信号调节电路。
  此外,PBSS5130T,215 的频率响应可达25MHz,适用于需要较高频率响应的应用,例如射频(RF)放大和高速开关电路。其高频特性使其在通信设备和工业控制电路中具有广泛的应用前景。
  由于其优良的电气性能和稳定性,PBSS5130T,215 适用于多种电子设备的设计和制造。无论是消费类电子产品还是工业控制系统,该晶体管都能提供可靠的性能支持。

应用

PBSS5130T,215 广泛应用于需要高效功率放大的电路设计中。在音频放大器中,该晶体管可用于功率放大阶段,提供高质量的音频输出。在功率调节电路中,PBSS5130T,215 可用于稳压和电流调节,确保电路的稳定运行。
  此外,该晶体管也适用于工业控制系统,例如电机驱动和自动化设备。在这些应用中,PBSS5130T,215 的高电流和高电压承受能力使其能够可靠地控制高功率负载。
  在通信设备中,PBSS5130T,215 的高频特性使其适用于射频(RF)放大和信号处理电路。其高增益和良好的频率响应使其成为通信系统中不可或缺的组件。
  由于其SOT-223封装形式和表面贴装设计,PBSS5130T,215 也适用于高密度PCB布局和自动化装配工艺。这使得该晶体管在消费类电子产品、汽车电子系统和工业设备中都有广泛的应用。

替代型号

BCX56-10, BC856, BC846, PN2222, 2N3904

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PBSS5130T,215参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)225mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)260 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大480mW
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)