时间：2025/9/14 23:46:19
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PBSS4540Z,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于中高功率的开关和负载管理应用，如电源管理、电机控制、LED 照明以及电池供电设备。
类型：MOSFET
沟道类型：N-Channel
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：5.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±12V
功率耗散（Ptot）：1.4W
封装类型：TSSOP
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PBSS4540Z,115 具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频率下稳定工作，降低开关损耗。
其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下保持较低的功率损耗，提高系统效率。
此外，该 MOSFET具备良好的热稳定性，可在高负载条件下保持可靠运行。
该器件采用无铅环保封装，符合 RoHS 和 REACH 标准，适用于各类工业和消费类电子产品。
内置的 ESD 保护功能增强了器件在复杂电磁环境中的抗干扰能力。
PBSS4540Z,115 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、LED 照明控制以及电池供电设备等场景。
其高可靠性和优异的热管理能力也使其广泛用于工业自动化设备和汽车电子系统中。
在电源管理方面，该 MOSFET 可用于同步整流和功率分配电路，提升整体能效。
在电机控制应用中，其快速开关特性有助于实现更精确的速度调节和更高的响应速度。
Si2302DS-T1-GE3, AO3400A, FDS6680, NDS355AN
