时间：2025/8/9 15:20:55
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2SK962-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件采用高密度单元设计，具有低导通电阻、高耐压、高电流容量等优点，适用于高效率、小型化的电源系统。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：50mΩ（典型值）
功耗(Pd)：40W
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2SK962-01 MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低Rds(on)特性使其在高负载条件下仍能保持较低的温升，提高系统稳定性。
此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在电压瞬态情况下的可靠性。栅极结构设计优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET还具备良好的热稳定性，通过合理的散热设计可以满足高功率密度的需求。其TO-220AB封装形式便于安装和散热，适用于多种工业和消费类电子产品。
2SK962-01 广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、LED照明驱动、工业自动化控制设备等。其高效率和高可靠性使其成为电源管理领域的重要元件。
2SK1118, IRFZ44N, Si4440DY, FDP6670
