PBSS4360ZX 时间：2025/9/14 10:39:33 阅读：40

PBSS4360ZX 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等场景，适用于需要高效能和高可靠性的设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：40W
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃

特性

PBSS4360ZX 的核心优势在于其优异的导通性能与高可靠性。其导通电阻 Rds(on) 仅为 22mΩ，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该 MOSFET 支持高达 20A 的连续漏极电流，在 60V 的漏源电压下表现出良好的稳定性，适用于中高功率应用场景。
　　此外，PBSS4360ZX 采用了 Nexperia 的高性能 Trench 技术，使得器件在开关过程中具有更低的开关损耗，提高了整体能效。其 TO-252（DPAK）封装形式具备良好的热管理能力，适合表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性。
　　该器件还具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了系统在复杂工况下的稳定性和可靠性。其工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 150℃，适用于工业级和车载应用环境。

应用

PBSS4360ZX 被广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED 照明驱动器、工业自动化控制设备、便携式电子产品以及汽车电子系统等。
　　在 DC-DC 转换器中，PBSS4360ZX 可作为主开关器件，提供高效能的电压转换；在负载开关电路中，它可用于控制高电流负载的通断；在马达驱动电路中，其低导通电阻和高电流能力可有效提升马达运行效率；在汽车电子系统中，该器件可应用于车载充电器、车身控制模块等场合。