类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5 mΩ（典型值 @ Vgs = 10 V）
　　功率耗散（Ptot）：45 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT1220（DFN1010D-8）

PBSS4350TVL 具备多项优异的电气和热性能，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻 Rds(on) 仅为 5.5 mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。在高电流工作条件下，低 Rds(on) 还有助于减少发热，提高稳定性。
　　其次，该器件的漏极电流额定值为 10 A，具备良好的电流承载能力，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为 30 V，支持多种低压直流系统的应用，如 12 V 和 24 V 系统。
　　此外，PBSS4350TVL 采用先进的 Trench MOS 工艺技术，提升了器件的开关性能，降低了开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于实现快速开关动作，适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　热性能方面，PBSS4350TVL 的封装设计具有良好的散热能力，可有效将热量传导至 PCB，提升器件在高负载下的可靠性。
　　最后，其封装形式为 SOT1220，属于小型双扁平无引脚封装（DFN），节省空间，便于自动化装配，符合现代电子产品小型化和轻量化的发展趋势。

PBSS4350TVL 主要应用于需要高效率、高可靠性和高集成度的电力电子系统中。
　　常见的应用包括 DC-DC 转换器，特别是在同步整流电路中作为高边或低边开关使用，其低 Rds(on) 和快速开关特性可显著提高转换效率。
　　它也广泛用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，作为负载开关或隔离开关，实现对电池的高效管理与保护。
　　此外，该器件适用于电机驱动电路、电源管理模块、LED 驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其优异的热性能和小型封装，PBSS4350TVL 也适用于空间受限的便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能电源适配器等。
　　在汽车电子领域，PBSS4350TVL 可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、电动泵控制等应用，满足汽车环境对高可靠性和耐温性的要求。

SiSS14DN, IPB013N06N3, FDS4410A, AO4406A