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BAS316HE3 发布时间 时间:2025/8/6 18:52:42 查看 阅读:13

BAS316HE3 是一款由 Vishay Semiconductors 推出的双通道表面贴装硅开关二极管阵列。该器件设计用于高速开关应用,具有低反向漏电流和高开关速度的特点。BAS316HE3 采用 SOT-23 封装,适用于各种通用和高频开关电路。

参数

类型:双二极管开关
  材料:硅
  封装类型:SOT-23
  最大正向电流:100mA
  最大反向电压:100V
  正向压降:1.25V(最大)
  反向电流:100nA(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  最大功耗:300mW

特性

BAS316HE3 具有多个关键特性,使其适用于各种高速开关应用。首先,其采用硅材料制造,确保了器件在各种工作条件下的稳定性和可靠性。其次,该二极管的最大正向电流为 100mA,适用于中等功率的开关电路。最大反向电压为 100V,使其能够承受较高的电压应力,从而提高电路的可靠性。正向压降最大为 1.25V,在高频应用中可减少功率损耗。
  BAS316HE3 的反向漏电流最大为 100nA,在高温条件下仍能保持较低的漏电流,这对于需要高稳定性的电路尤为重要。此外,该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,使其适用于广泛的工作环境。BAS316HE3 采用 SOT-23 小型封装,节省了 PCB 空间,非常适合表面贴装工艺,提高了生产效率。
  这款二极管还具有良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化装配流程。其最大功耗为 300mW,确保在连续工作条件下不会因过热而损坏。BAS316HE3 的双二极管结构使其能够在一个封装内实现两个独立的开关功能,从而简化电路设计并减少组件数量。

应用

BAS316HE3 适用于多种电子电路,特别是在需要高速开关性能的场合。常见的应用包括数字逻辑电路中的信号隔离、电平转换和箝位电路。由于其低漏电流和高反向电压特性,该器件也广泛用于电源管理系统中的保护电路,例如防止反向电流流动或在电池供电设备中实现极性保护。
  在通信设备中,BAS316HE3 可用于射频信号的整流和检波电路,提供稳定可靠的信号处理能力。此外,该器件还可用于 LED 驱动电路中的电流控制,确保 LED 的稳定运行并延长其使用寿命。
  在工业控制领域,BAS316HE3 可用于继电器驱动电路中的飞轮二极管,以吸收电感负载断开时产生的反电动势,保护开关元件免受损坏。其小型 SOT-23 封装也使其成为便携式设备和消费类电子产品中的理想选择,例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于电源管理或信号处理。

替代型号

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