时间：2025/9/14 8:26:36
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PBSS4350SPN,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 LFPAK 封装技术。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能。PBSS4350SPN,115 适用于汽车电子、工业控制、电源管理和负载开关等多种应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：260A
导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
PBSS4350SPN,115 的核心优势在于其极低的导通电阻和高电流承载能力，这使得它在大功率应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用 Nexperia 的 Trench MOS 技术，确保了在高开关频率下的稳定性能。此外，LFPAK56 封装具备优异的热管理能力，可有效提升散热效率，延长器件寿命。
这款 MOSFET 的高可靠性使其非常适合用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、DC-DC 转换器等。其宽工作温度范围也确保了在极端环境下的稳定运行。
从电气特性来看，PBSS4350SPN,115 在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 仅为 0.95mΩ，这一数值远低于同类产品，有助于减少能量损耗。同时，其最大漏极电流可达 260A，在高功率密度设计中表现优异。
此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高压冲击下的稳定性。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动电路，便于集成到各种电源管理系统中。
PBSS4350SPN,115 广泛应用于汽车电子、工业电源、DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统、高功率负载开关等场景。其卓越的性能使其成为高性能电源转换系统和电动车辆控制模块的理想选择。
IPD120N30N3 G 英飞凌 Technologies | BSC090N03MS G 英飞凌 Technologies | FDS4410ASZ Fagor Electronica
