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PBSS4240V,115 发布时间 时间:2025/9/14 8:53:22 查看 阅读:4

PBSS4240V,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款双极型功率晶体管(NPN型),属于低饱和电压(Low-VCEsat)晶体管系列,适用于需要高效能和高电流处理能力的电源管理和开关应用。该器件采用SOT223封装,具备优良的热性能和稳定性,适合在高负载条件下运行。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
  最大集电极电流(IC):6A
  最大耗散功率(PD):1.5W(SOT223封装)
  最大工作温度:150°C
  电流增益(hFE):在IC=2A, VCE=5V时,典型值为100至600(具体等级取决于后缀)
  饱和电压(VCEsat):在IC=3A, IB=100mA时,典型值为0.25V
  频率响应:最高工作频率可达100MHz
  封装类型:SOT223

特性

PBSS4240V,115 的主要特点之一是其低饱和电压(Low-VCEsat),这使得该器件在高电流条件下具有较低的功耗,从而提高了整体系统效率。
  此外,该晶体管具有较高的电流增益(hFE),使其在需要高增益的开关和放大电路中表现优异。
  该器件采用SOT223封装,具有良好的散热性能,能够在较高环境温度下稳定运行。
  PBSS4240V,115 还具有出色的可靠性,适用于工业级和汽车级应用,符合AEC-Q101汽车电子标准。
  由于其宽泛的工作电压范围(最高VCEO为40V),该晶体管可以用于多种电源管理和DC-DC转换应用。
  该器件还具备较高的开关速度,适用于高频PWM控制和马达驱动等应用。

应用

PBSS4240V,115 常用于各种电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电机控制、LED驱动以及工业自动化系统中。
  其低饱和电压和高电流承载能力使其成为高效电源设计的理想选择。
  此外,由于其良好的高频响应特性,该晶体管也广泛应用于开关电源(SMPS)和电池充电系统中。
  在汽车电子领域,PBSS4240V,115 常用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动以及电动助力转向系统等应用。
  其高可靠性和热稳定性也使其适用于需要长时间运行的工业控制设备和自动化系统。

替代型号

TIP122, PBSS4040V,115, 2N6426, BDW44G

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PBSS4240V,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大900mW
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-7295-6