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NX7002BKSX 发布时间 时间:2025/9/15 1:08:10 查看 阅读:10

NX7002BKSX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TSSOP 封装,适用于高频开关和低功耗应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛用于电源管理、信号切换和负载控制等电路中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±8V
  连续漏极电流(ID):100mA
  导通电阻(RDS(on)):最大 3.5Ω(在VGS=4.5V时)
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TSSOP

特性

NX7002BKSX MOSFET 具备多项优良特性,适用于多种电子系统设计。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件具备高开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关控制。此外,NX7002BKSX 的栅极驱动电压范围宽,可在 1.8V 至 8V 之间工作,适用于多种逻辑电平控制电路。
  该器件采用 TSSOP 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其热稳定性良好,在高温环境下仍能保持稳定工作,适合用于便携式设备、电池管理系统和工业控制设备。此外,NX7002BKSX 还具备较低的漏电流,在关断状态下能有效减少静态功耗,延长电池寿命。

应用

NX7002BKSX MOSFET 主要应用于以下领域:首先,在电源管理系统中,常用于 DC-DC 转换器、LDO 稳压器的负载开关控制以及电池充电电路中的电流控制。其次,该器件也适用于信号切换电路,如在多路复用器和数据总线控制中作为开关元件使用。此外,在工业自动化设备中,NX7002BKSX 可用于继电器替代电路、传感器信号调理和小型电机控制电路。

替代型号

2N7002K, BSS138, FDV301N, SI2302DS

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NX7002BKSX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.53757卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.8 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)23.6 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)310mW(Ta),1.67W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSSOP
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363