NX7002BKSX 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TSSOP 封装,适用于高频开关和低功耗应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,广泛用于电源管理、信号切换和负载控制等电路中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±8V
连续漏极电流(ID):100mA
导通电阻(RDS(on)):最大 3.5Ω(在VGS=4.5V时)
功率耗散:300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSSOP
NX7002BKSX MOSFET 具备多项优良特性,适用于多种电子系统设计。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件具备高开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和负载开关控制。此外,NX7002BKSX 的栅极驱动电压范围宽,可在 1.8V 至 8V 之间工作,适用于多种逻辑电平控制电路。
该器件采用 TSSOP 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。其热稳定性良好,在高温环境下仍能保持稳定工作,适合用于便携式设备、电池管理系统和工业控制设备。此外,NX7002BKSX 还具备较低的漏电流,在关断状态下能有效减少静态功耗,延长电池寿命。
NX7002BKSX MOSFET 主要应用于以下领域:首先,在电源管理系统中,常用于 DC-DC 转换器、LDO 稳压器的负载开关控制以及电池充电电路中的电流控制。其次,该器件也适用于信号切换电路,如在多路复用器和数据总线控制中作为开关元件使用。此外,在工业自动化设备中,NX7002BKSX 可用于继电器替代电路、传感器信号调理和小型电机控制电路。
2N7002K, BSS138, FDV301N, SI2302DS