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MMBT3646 发布时间 时间:2025/5/8 9:02:43 查看 阅读:12

MMBT3646是一种NPN型硅晶体管,广泛用于一般的开关和放大应用。该晶体管采用了TO-252表面贴装封装形式,适合在高频、低噪声的环境中使用。它具有较高的电流增益和较低的饱和电压,能够提供出色的性能表现。
  作为一款通用晶体管,MMBT3646常被应用于各种消费电子设备、工业控制电路以及信号处理系统中。

参数

集电极-发射极击穿电压(VCEO):30V
  集电极最大电流(IC):150mA
  集电极最大耗散功率(Ptot):375mW
  直流电流增益(hFE):100~400
  工作温度范围(Tamb):-55℃~150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

MMBT3646是一款性能稳定的NPN晶体管,具备以下特点:
  1. 高电流增益,使其非常适合用于放大器设计;
  2. 较低的饱和电压确保了高效的开关操作;
  3. 小型化的TO-252封装适合现代紧凑型电路设计;
  4. 广泛的工作温度范围使它能够在恶劣环境下稳定运行;
  5. 具备良好的电气特性和高频响应能力。

应用

MMBT3646主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的音频放大器和信号调节电路;
  2. 工业控制中的继电器驱动和电机控制电路;
  3. 电源管理模块中的开关元件;
  4. 各种逻辑电平转换和信号缓冲应用;
  5. 照明控制系统中的调光和开关功能实现。

替代型号

2N3904, BC337, MMBT2222A

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MMBT3646参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)15V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 30mA,300mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 30mA,400mV
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBT3646-NDMMBT3646TR