PBSS4160TVL 时间：2025/9/14 9:54:23 阅读：14

PBSS4160TVL是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术，具有高效率和低导通电阻的特点。该器件适用于各种功率转换和负载开关应用，如电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和电机控制等。其封装形式为SOT223（也称为SOT-223），具备良好的散热性能，适合在紧凑型电路设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为23mΩ（在VGS=10V）
　　功耗（PD）：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT223

特性

PBSS4160TVL采用了先进的TrenchMOS工艺，具有极低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗，提高了整体效率。该器件的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，增强了器件在高噪声环境中的可靠性。此外，其SOT223封装具有良好的热性能，有助于将热量快速传导至PCB，提高系统的稳定性和寿命。
　　该MOSFET在导通状态下可承受高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其35W的最大功耗使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，PBSS4160TVL具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
　　该器件还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或电感反冲等异常条件下保持稳定运行。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电源系统。

应用

PBSS4160TVL广泛应用于各种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器和电源适配器等。由于其高效率和良好的热性能，该器件也常用于便携式设备和嵌入式系统中的电源管理模块。在汽车电子领域，PBSS4160TVL可用于车载充电器、车身控制模块和电动助力转向系统等应用场景。