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MIXA225RF1200TSF 发布时间 时间:2025/8/6 0:47:17 查看 阅读:32

MIXA225RF1200TSF是一款射频(RF)混合器芯片,专为高性能无线通信系统设计。该器件通常用于将射频信号与本地振荡器(LO)信号混合,生成中频(IF)信号,以便后续处理。MIXA225RF1200TSF以其高线性度、低失真和优异的噪声性能而闻名,适用于多种高频通信应用。

参数

类型:有源混频器
  频率范围:1.2GHz
  输入频率范围(RF):最高至2.25GHz
  输入频率范围(LO):通常与RF相同
  输出频率范围(IF):取决于应用配置
  转换增益:典型值为12dB
  噪声系数:约10dB
  输入IP3:约+18dBm
  电源电压:+5V或+3.3V(取决于型号)
  封装类型:表面贴装(SMT)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

MIXA225RF1200TSF具备出色的线性度,能够处理高动态范围的信号,从而减少系统中的失真和干扰。其高输入三阶截距点(IP3)确保在强信号环境下仍能保持良好的性能。
  此外,该混频器具有低噪声系数,有助于提高系统的整体信噪比(SNR),适用于高灵敏度接收机设计。
  该芯片集成了本地振荡器缓冲放大器,简化了外部电路设计,并提高了系统的稳定性。
  它采用紧凑的表面贴装封装,便于集成到现代无线通信设备中,同时降低了功耗,适用于电池供电设备。
  MIXA225RF1200TSF支持多种频率配置,适应不同的通信标准,如Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络等。

应用

MIXA225RF1200TSF广泛应用于各种射频和微波通信系统中,包括无线基站、卫星通信设备、雷达系统、测试仪器和工业控制设备等。其高线性度和低噪声特性使其成为高性能接收机的理想选择。此外,该混频器也适用于软件定义无线电(SDR)平台,能够灵活适应不同的通信协议和频段要求。

替代型号

HMC414, MAX9993, AD8343

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MIXA225RF1200TSF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态停产
  • IGBT 类型PT
  • 配置单路
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)360 A
  • 功率 - 最大值1100 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,225A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)300 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块