时间：2025/7/25 17:46:35
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PBSS4160T,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），采用 SOT223 封装。该晶体管具有高电流增益和良好的热稳定性，适用于多种功率放大、开关控制和电源管理应用。该器件设计用于在中等功率水平下工作，具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高系统效率。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（IC）：100mA
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极-基极电压（VCB0）：100V
最大功耗（PD）：300mW
电流增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
封装类型：SOT223
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
PBSS4160T,215 的主要特性包括高电流增益、低饱和压降和良好的热稳定性。其 hFE 值可在不同电流条件下保持稳定，确保在各种应用中的可靠性能。该晶体管的 SOT223 封装具有良好的散热能力，适用于需要一定功率处理能力的电路设计。此外，其较高的击穿电压（VCEO = 100V）使其适用于需要较高电压耐受能力的应用。该器件符合 RoHS 标准，适合用于环保电子产品设计。
该晶体管的低饱和压降（通常在 IC = 100mA 时 VCE(sat) ≤ 0.25V）减少了在开关应用中的功率损耗，提高了整体效率。此外，其快速开关特性使其适用于数字开关电路和脉宽调制（PWM）控制。PBSS4160T,215 的封装尺寸小巧，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
PBSS4160T,215 广泛应用于开关电路、信号放大、逻辑电平转换、继电器驱动、LED 控制以及低功耗电源管理系统中。由于其良好的电流增益特性和中等功率处理能力，它常用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中的信号调节和功率开关应用。例如，在微控制器系统中，它可以作为驱动 MOSFET 或其他高功率晶体管的缓冲级。此外，其高击穿电压特性也使其适用于高压传感器接口和电池管理系统。
BC847BW, 2N3904, BC547, PN2222A
