时间：2025/6/18 12:20:22
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PHT4NQ10T,135 是一款基于硅技术的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。它具有低导通电阻和高效率开关特性，使其非常适合用于高频开关应用。该器件采用 TO-263 封装形式，能够满足紧凑型设计的需求。
该型号在功率转换电路、负载切换、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中表现出色。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：170mΩ
栅极电荷：9nC
功耗：2W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
PHT4NQ10T,135 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，在额定条件下可以实现高效功率传输。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
3. 较小的封装尺寸和良好的热性能，有助于简化散热设计。
4. 高雪崩能量能力，增强了其在恶劣条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺制造。
该 MOSFET 主要应用于多种电力电子场景，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池保护电路中的负载切换控制。
3. 电机驱动和逆变器应用。
4. 工业设备中的电源管理和功率分配。
5. 消费类电子产品中的过流保护和高效功率转换。
IRLZ44N, FDP5800, AO3400
