时间：2025/9/15 4:14:48
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PBSS4160DS 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型无铅封装（DFN2020D-3），适用于需要高效能与小型化设计的功率管理应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力及优良的热稳定性，适用于负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统、马达驱动及 LED 照明等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：2.7A
导通电阻(RDS(on))：最大 280mΩ @ VGS=10V
功率耗散(PD)：1.2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN2020D-3
PBSS4160DS 的核心特性之一是其在小型封装下仍具备出色的导通性能和热管理能力。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流操作时降低功率损耗，提高系统效率。该器件支持高达 60V 的漏源电压，使其适用于多种中高压功率转换应用。
此外，PBSS4160DS 采用了 Nexperia 的先进沟槽技术，优化了器件的开关性能和导通损耗，从而在高频开关应用中表现出色。其坚固的栅极氧化层设计支持 ±20V 的栅源电压，增强了抗过压能力，提高了器件的可靠性。
该 MOSFET 封装为 DFN2020D-3，具有极小的尺寸（2.0mm x 2.0mm），非常适合空间受限的便携式电子产品和高密度 PCB 设计。同时，该封装具备良好的热传导性能，有助于在高功率运行时有效散热。
该器件的极限参数和稳健设计使其在恶劣工作环境下也能保持稳定性能，适用于工业控制、汽车电子、电源管理和绿色能源系统等多种应用领域。
PBSS4160DS 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下场景：在电池管理系统中作为高侧或低侧开关，实现高效的充放电控制；在 DC-DC 转换器和同步整流电路中作为主开关器件，提升转换效率；在 LED 驱动电路中用于调光和恒流控制；在马达驱动器中作为 H 桥结构中的开关元件；在智能电表、传感器模块和工业自动化设备中作为功率开关使用；在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于电源管理与负载切换。
Si2302DS, BSS138K, FDS6675, AO3400A
