时间：2025/5/24 19:29:27
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FN21N1R5C500PAG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (e-mode HEMT) 类型。该器件专为高频开关应用设计，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器和无线充电设备等领域。其低导通电阻和快速开关性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
该芯片采用了先进的封装技术，具备高可靠性和散热性能，同时支持表面贴装工艺 (SMD)，便于大规模生产。FN21N1R5C500PAG 在工作频率、效率和热管理方面表现出色，是现代电力电子系统中不可或缺的核心元件。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：21A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
输入电容：1480pF
反向恢复时间：无（GaN 器件固有特性）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PAG
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（1.5mΩ），可显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高达 2MHz 的开关频率。
4. 内置零反向恢复特性，进一步减少开关损耗。
5. 热稳定性强，能够在极端温度条件下可靠运行。
6. 小尺寸封装，节省 PCB 布局空间。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 开关模式电源 (SMPS)。
3. 图腾柱 PFC 电路。
4. 无线充电发射端及接收端。
5. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
6. 新能源汽车充电桩中的功率模块。
7. 光伏逆变器及其他可再生能源相关设备。
GAN021-650WSA
GAN21-E065W
STGAP100B
