时间：2025/9/15 0:00:35
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PBSS4160DS,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件专为高电流和高增益应用设计，适用于电源管理、开关电路、功率放大器等多种应用场景。这款晶体管采用SOT-363封装，具有紧凑的尺寸，非常适合需要空间节省的电路设计。其主要特点包括高集电极-发射极电压（VCEO）和高电流处理能力，使其能够在高负载条件下稳定工作。
类型：NPN型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
最大集电极电流（IC）：100 mA（连续）
最大功耗（PD）：200 mW
增益（hFE）：范围110至800（取决于工作电流）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-363
PBSS4160DS,115 的一个显著特性是其高增益性能，能够在低电流条件下提供稳定的放大效果。其增益范围为110至800，这使得该晶体管适用于多种放大器和开关电路。此外，该器件的集电极-发射极电压（VCEO）为40 V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。SOT-363封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下的可靠性。
另外，PBSS4160DS,115 的最大集电极电流为100 mA，适用于中等电流负载的开关应用。其最大功耗为200 mW，这使其能够在紧凑的封装中保持较高的热稳定性。晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能正常运行。这些特性使得该器件成为汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
PBSS4160DS,115 常用于需要高增益和中等功率处理能力的电路设计中。典型应用包括信号放大器、电源开关、继电器驱动器、LED驱动器和DC-DC转换器。由于其高耐压能力和紧凑的封装尺寸，它也广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载娱乐系统和照明控制电路。在工业自动化和消费类电子产品中，该晶体管可用于控制电机、风扇和其他负载设备。此外，它还可以作为数字逻辑电路中的开关元件，实现高速切换操作。
BC847B,115; BC817-40; 2N3904; PN2222; MMBT3904
