类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流：15 A
　　最大集电极-发射极电压：30 V
　　最大集电极-基极电压：50 V
　　最大发射极-基极电压：5 V
　　最大功耗：150 W
　　工作温度范围：-65°C 至 200°C
　　封装类型：TO-220

NE5510179A-T1 是一款专为射频功率放大设计的高性能晶体管。其主要特性包括高电流容量、高功率处理能力以及在高频下的稳定性能。该晶体管能够在高频段（如 VHF、UHF 和 L 波段）工作，具有较低的失真和较高的线性度，适用于高保真放大器设计。
　　该器件采用了先进的硅双极工艺制造，具有优良的热稳定性和高可靠性。其 TO-220 封装提供了良好的散热性能，能够有效降低工作温度，从而延长器件的使用寿命。此外，NE5510179A-T1 在射频应用中表现出色，具有较高的增益和低噪声系数，适合用于无线通信系统的功率放大阶段。
　　该晶体管还具备良好的耐过载能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。其高增益特性使其在射频放大电路中能够提供较大的信号增益，减少了对后续放大级的需求，从而简化了电路设计并提高了整体系统的效率。同时，该器件具有较宽的工作温度范围，可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业和军事级别的应用需求。

NE5510179A-T1 主要应用于射频功率放大器、无线通信系统、广播发射设备、工业加热设备、测试仪器以及高功率音频放大器等场合。

NE5510179A-T1 可以替代的型号包括：MJ15003G、MJ15024G、BDX93C 等。