类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：5.7A
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT223

PBSS4140T.215 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时仅为 40mΩ，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高了系统的效率。此外，该器件的最大连续漏极电流可达 5.7A，适合用于高负载电流的场合。由于采用了先进的 Trench MOS 技术，该 MOSFET 具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 和 4.5V 驱动，便于与标准逻辑电平的驱动电路兼容。同时，±20V 的最大栅源电压提供了良好的抗过压能力，增强了器件的可靠性。PBSS4140T.215 的 SOT223 封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。
　　另外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。它的热阻（Rth）较低，有助于在高功率应用中保持稳定的温度表现。综合来看，PBSS4140T.215 是一款适用于多种电源管理应用的高性能 MOSFET。

PBSS4140T.215 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种工业控制设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和紧凑设计的电源模块和功率控制电路。在消费类电子产品中，它常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机和便携式充电设备的电源管理部分。
　　此外，该 MOSFET 可用于 LED 照明驱动、电源适配器、UPS（不间断电源）系统以及各类电源开关控制电路。在工业自动化和嵌入式系统中，PBSS4140T.215 可作为高效的功率开关元件，用于控制电机、继电器、电磁阀等执行机构。其优异的热稳定性和高频响应特性也使其在高频开关电源和同步整流电路中表现出色。

SiSS4140N, IRLL2705, FDS4410, AO4410