类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.75mΩ（最大值为2.35mΩ）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为150nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

FPV1080E100PKT 功率MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。这种低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现尤为出色，有助于减少发热并提升系统稳定性。
　　该器件的高漏源电压（100V）和大连续漏极电流（80A）能力使其适用于多种高功率场景，如电机驱动、工业电源和电池管理系统。此外，其高栅极电荷（Qg）指标表明其开关性能稳定，适用于中高频开关应用。
　　PowerFLAT 5x6封装设计提供了优异的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的结温。该封装还具有较小的尺寸，有助于节省PCB空间，同时支持高密度的电路设计。FPV1080E100PKT 还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C，表明其具备良好的热稳定性，能够在高温和低温环境下可靠运行，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制、汽车电子和可再生能源系统等。

FPV1080E100PKT 主要应用于需要高功率处理能力和高效率的电子系统中。例如，在电机控制和驱动器中，它可以作为主开关器件，提供高效能的电流控制能力。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高频开关操作，以提高能量转换效率并减小系统尺寸。
　　此外，FPV1080E100PKT 还适用于电池管理系统（BMS），特别是在高功率电池组中，如电动工具、电动车和储能系统。其高耐压能力和大电流容量确保了在电池充放电过程中的稳定性和安全性。
　　在工业电源和UPS（不间断电源）系统中，该器件可作为主功率开关或同步整流器使用，以提高系统效率并减少热量产生。同时，它也可以用于太阳能逆变器、电焊机、工业自动化设备以及各类高功率LED照明系统中，提供可靠的功率控制能力。

STP80NF10
　　 FDP80N10
　　 IRLB8721
　　 IPW90R120C3
　　 SiR142DP