时间：2025/9/14 18:42:00
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PBSS4130T,215 是由Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TrenchMOS技术制造，适用于高效率开关应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和良好的热性能，适合用于电源管理和DC-DC转换器等应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大7.2mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
PBSS4130T,215的主要特性包括：
? 低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。
? 高电流能力（60A）使其适用于高功率密度设计。
? 采用TrenchMOS技术，提供优异的开关性能和热稳定性。
? 宽工作温度范围（-55°C至175°C）增强了在恶劣环境下的可靠性。
? 具备高雪崩能量能力，提升了器件在过压或瞬态条件下的耐用性。
? TO-252（DPAK）封装具有良好的热管理性能，便于散热设计。
? 符合RoHS标准，适用于无铅工艺和环保应用。
PBSS4130T,215广泛应用于多种电源管理和功率控制领域，包括：
? DC-DC转换器和同步整流器，用于提高转换效率。
? 电机驱动电路，适用于工业自动化和机器人系统。
? 负载开关和电源分配系统，用于控制高电流负载。
? 电池管理系统（BMS），用于电动汽车和储能系统。
? 服务器和通信设备的电源模块，确保高可靠性和效率。
? 工业控制设备和电源适配器，满足高功率需求。
SiSS4136N-T1-GE3, FDD6680, IRF6665, AO4407A
