时间：2025/7/4 6:03:51
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RF15NR75C500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频射频应用设计。该器件具有卓越的功率密度和效率，适合于基站、雷达系统以及卫星通信等高性能领域。
这款 GaN HEMT 器件采用了先进的封装技术，能够承受高电压并提供稳定的射频性能。其结构设计使得开关速度更快，同时保持较低的导通电阻，从而优化了能量损耗。
型号：RF15NR75C500CT
类型：GaN HEMT
工作电压：100 V
漏极饱和电流：15 A
输出功率：50 W
增益：12 dB
频率范围：DC 至 6 GHz
封装形式：表面贴装 (SMD)
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
RF15NR75C500CT 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换：得益于 GaN 技术，该器件在高频条件下仍能维持较高的功率附加效率 (PAE)。
2. 小型化设计：与传统硅基晶体管相比，其体积更小，非常适合紧凑型电路设计。
3. 快速开关能力：具备超低开启时间和关断时间，适用于高频脉冲调制应用。
4. 热稳定性强：能够在高温环境下长时间运行而不降低性能。
5. 低寄生效应：内部寄生电感和电容最小化，进一步提升了高频性能。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施，如 5G 基站和毫米波设备。
2. 军用雷达系统，包括相控阵天线和其他高精度探测装置。
3. 卫星通信和航空航天领域中的射频放大器。
4. 工业、科学及医疗设备中的高效功率放大模块。
5. 测试与测量仪器，用于生成精确的射频信号源。
RF15NR75C300CT, RF15NR75C400CT
