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PBSS4130QAZ 发布时间 时间:2025/7/2 10:31:45 查看 阅读:11

PBSS4130QAZ是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于汽车电子和工业领域。该器件采用TOLL封装形式,具备低导通电阻和高电流处理能力,能够有效降低功耗并提高系统效率。其设计旨在满足严格的汽车级要求,确保在恶劣环境下的可靠运行。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  总功耗:340W
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

PBSS4130QAZ具有出色的热性能和电气性能,特别适合高功率密度的应用场景。其低导通电阻有助于减少传导损耗,而高电流承载能力则使其能够在大负载条件下稳定运行。
  此外,该器件的高工作温度范围和符合AEC-Q101标准的设计,确保了其在极端环境中的可靠性。TOLL封装提供了更小的占位面积和更好的散热性能,非常适合空间受限的设计。

应用

PBSS4130QAZ主要应用于汽车和工业领域的高功率开关电路中,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换和电池管理系统等。在这些应用中,其低导通电阻和高电流处理能力可以显著提高系统的效率和稳定性。
  同时,由于其符合车规级标准,该器件也广泛用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力系统中。

替代型号

PBS4130QATL, PBSS4130QL

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PBSS4130QAZ参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥0.77119卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)245mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大值325 mW
  • 频率 - 跃迁190MHz
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装DFN1010D-3