时间：2025/7/2 10:31:45
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PBSS4130QAZ是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于汽车电子和工业领域。该器件采用TOLL封装形式，具备低导通电阻和高电流处理能力，能够有效降低功耗并提高系统效率。其设计旨在满足严格的汽车级要求，确保在恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：1.3mΩ
总功耗：340W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TOLL
PBSS4130QAZ具有出色的热性能和电气性能，特别适合高功率密度的应用场景。其低导通电阻有助于减少传导损耗，而高电流承载能力则使其能够在大负载条件下稳定运行。
此外，该器件的高工作温度范围和符合AEC-Q101标准的设计，确保了其在极端环境中的可靠性。TOLL封装提供了更小的占位面积和更好的散热性能，非常适合空间受限的设计。
PBSS4130QAZ主要应用于汽车和工业领域的高功率开关电路中，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换和电池管理系统等。在这些应用中，其低导通电阻和高电流处理能力可以显著提高系统的效率和稳定性。
同时，由于其符合车规级标准，该器件也广泛用于电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的动力系统中。
PBS4130QATL, PBSS4130QL
