类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT223

PBSS4041SPN115 拥有多项优异的电气特性。其高电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，使得该晶体管适用于多种放大和开关电路。此外，该器件的低饱和电压（Vce_sat）确保了在导通状态下的能量损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。由于采用了先进的制造工艺，PBSS4041SPN115 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
　　另一个显著特点是其快速开关能力，这使得该晶体管非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动电路、继电器驱动以及各种逻辑电平转换电路。SOT223封装不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了电路板布局的灵活性。
　　此外，该晶体管符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，满足现代电子设备对环保材料的要求。

PBSS4041SPN115 广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它常用作开关或信号放大元件，例如在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于LED背光驱动或传感器信号调节。在工业控制领域，该晶体管可用于继电器驱动、小型电机控制以及电源管理模块。此外，在汽车电子系统中，如车载娱乐系统、仪表盘控制模块和车身电子控制单元（ECU），PBSS4041SPN115 能够提供稳定可靠的性能。
　　由于其高频特性，该晶体管也适用于无线通信设备中的射频（RF）开关和功率放大器模块。此外，在物联网（IoT）设备中，PBSS4041SPN115 可用于无线传感器网络的信号处理和数据传输电路。

PBSS4041T115，PBSS4041PH，PBSS4041DS，PBSS4041Z