时间：2025/9/14 18:19:48
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PBSS4041NZ,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率开关电路中。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。PBSS4041NZ,115 采用 SOT223 封装，适用于表面贴装，适合在中高功率应用中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.3A
脉冲漏极电流（Idm）：25A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT223
PBSS4041NZ,115 具有多个优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高了整体效率。其次，该器件采用了 Nexperia 的高性能 Trench MOS 技术，使开关速度更快，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
此外，PBSS4041NZ,115 具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 6.3A，并可在短时间内承受高达 25A 的脉冲电流，适用于需要高瞬态电流的场合。栅极电荷（Qg）仅为 12nC，进一步降低了驱动电路的功耗，使其适用于低功耗控制电路。
该器件的 SOT223 封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持稳定工作温度。此外，其封装设计支持表面贴装工艺，适用于自动化生产，提高了 PCB 布局的灵活性和可靠性。
PBSS4041NZ,115 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛环境条件，适用于工业控制、电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。
PBSS4041NZ,115 适用于多种功率电子系统，尤其在需要高效能、高可靠性和高集成度的场合。常见应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各类工业自动化控制系统。
在电源管理方面，该 MOSFET 可用于高效的电压调节模块（VRM）或负载点电源（POL），提供稳定的功率输出。在电机控制领域，其高电流能力和快速开关特性使其成为 H 桥驱动和 PWM 控制的理想选择。
由于其封装支持表面贴装技术，该器件广泛应用于消费电子、汽车电子和工业设备中，如笔记本电脑电源适配器、智能电表、LED 照明驱动和智能家电控制系统等。
Si2302DS, FDS4410A, AO4406A, IRLML6401, BUK9M56-40B
