K2258-01 时间：2025/8/9 9:44:37 阅读：9

K2258-01 是一款由韩国制造商KEC（Korea Electronics Corporation）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等场景。K2258-01采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和空间节省优势，适用于表面贴装技术。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（@Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤7.5mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

K2258-01具备多项优异特性，使其在功率电子设计中具有较高的可靠性与效率。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。其次，该器件的高耐压能力（60V Vds）使其适用于中高功率转换电路，如开关电源和负载开关。此外，K2258-01具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达10A，在良好的散热条件下可支持更高负载应用。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具有优良的热管理性能，便于PCB布局与散热片连接，适合表面贴装工艺，提升了制造效率和产品可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（10V~20V），兼容多种驱动电路，增强了设计灵活性。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力，能在瞬态过电压条件下保持稳定运行。
　　此外，K2258-01的封装设计符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。其广泛的工作温度范围（-55℃至+150℃）使其能够在严苛环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子、消费类电源等多种应用场景。

应用

K2258-01 主要应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子系统中。典型应用包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块、UPS不间断电源、工业自动化设备、LED照明驱动电路等。
　　在DC-DC转换器中，K2258-01作为主开关器件，其低导通电阻和高开关速度有助于提高转换效率，降低发热。在电机控制应用中，该器件能够承受较高的瞬态电流冲击，提供稳定可靠的功率输出。在电池管理系统中，K2258-01可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。此外，其紧凑的TO-252封装形式也使其成为空间受限应用的理想选择。