时间：2025/9/14 11:22:57
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PBSS4032PZ,115是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能、高可靠性的功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和较高的工作电流能力。该MOSFET采用先进的Trench MOSFET技术，确保了在高频率和高负载条件下的稳定性能。其封装形式为PowerSO-10，适用于表面贴装（SMD）工艺，适合在紧凑型电子设备中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：6.7A
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V
导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
最大功耗（Ptot）：3.7W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerSO-10
PBSS4032PZ,115具有多个关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。在Vgs为10V时，Rds(on)仅为26mΩ，在4.5V时也仅为32mΩ，这使得该器件在低压驱动应用中也能保持良好性能。其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源击穿电压高达30V，使其适用于各种电源转换器、DC-DC变换器和负载开关应用。
此外，PBSS4032PZ,115的最大连续漏极电流为6.7A，具备较强的电流承载能力，适合用于高功率密度设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的效率。同时，其热阻较低，能够在高功耗环境下保持良好的热稳定性。
该MOSFET的封装形式为PowerSO-10，支持表面贴装技术（SMD），有利于自动化生产和紧凑型PCB布局。其工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性和稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。
PBSS4032PZ,115广泛应用于多种功率管理领域，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统和电源管理模块。由于其高效率和低导通损耗，该器件也适用于便携式电子产品、电源适配器、LED驱动电路以及工业控制设备中的功率开关部分。此外，其高可靠性和热稳定性使其成为汽车电子系统中电源控制电路的理想选择。
Si2302DS, IRF7409, FDS6675, BUK9616-30PC
