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PBSS4021NT 发布时间 时间:2025/5/27 9:03:31 查看 阅读:10

PBSS4021NT是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时具备快速开关特性,可显著提高系统效率并降低能耗。
  其设计主要针对低电压应用领域,适合便携式设备和其他对空间和功耗要求严格的场合。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):2.1A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ
  总电容(Ciss):97pF
  栅极电荷(Qg):4nC
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23

特性

PBSS4021NT的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,使得动态性能优越。
  3. 较高的电流承载能力,满足大功率应用需求。
  4. 小型化SOT-23封装,节省PCB板空间,适用于紧凑型设计。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠运行。
  6. 高耐压性能,能够在较高电压条件下稳定工作。
  7. 符合RoHS标准,环保且无铅工艺制造。

应用

PBSS4021NT适用于多种电子电路应用,例如:
  1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换器。
  2. 电池保护电路及负载开关。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  5. 通信设备中的信号切换和功率调节。
  6. 工业自动化领域的控制单元。
  由于其高效能和小尺寸的特点,这款MOSFET特别适合需要高密度集成和低功耗的应用场景。

替代型号

PBSS4020NT
  AO3400
  SI2302DS
  FDMQ8203

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