PBSS4021NT 时间：2025/5/27 9:03:31 阅读：25

PBSS4021NT是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用小型化的SOT-23封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时具备快速开关特性，可显著提高系统效率并降低能耗。
　　其设计主要针对低电压应用领域，适合便携式设备和其他对空间和功耗要求严格的场合。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：2.1A
　　导通电阻(Rds(on))：65mΩ
　　总电容(Ciss)：97pF
　　栅极电荷(Qg)：4nC
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

PBSS4021NT的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提升整体系统效率。
　　2. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，使得动态性能优越。
　　3. 较高的电流承载能力，满足大功率应用需求。
　　4. 小型化SOT-23封装，节省PCB板空间，适用于紧凑型设计。
　　5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠运行。
　　6. 高耐压性能，能够在较高电压条件下稳定工作。
　　7. 符合RoHS标准，环保且无铅工艺制造。

应用

PBSS4021NT适用于多种电子电路应用，例如：
　　1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换器。
　　2. 电池保护电路及负载开关。
　　3. 电机控制和驱动电路。
　　4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
　　5. 通信设备中的信号切换和功率调节。
　　6. 工业自动化领域的控制单元。
　　由于其高效能和小尺寸的特点，这款MOSFET特别适合需要高密度集成和低功耗的应用场景。