PBSS4021NT是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用小型化的SOT-23封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时具备快速开关特性,可显著提高系统效率并降低能耗。
其设计主要针对低电压应用领域,适合便携式设备和其他对空间和功耗要求严格的场合。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):2.1A
导通电阻(Rds(on)):65mΩ
总电容(Ciss):97pF
栅极电荷(Qg):4nC
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-23
PBSS4021NT的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷,使得动态性能优越。
3. 较高的电流承载能力,满足大功率应用需求。
4. 小型化SOT-23封装,节省PCB板空间,适用于紧凑型设计。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠运行。
6. 高耐压性能,能够在较高电压条件下稳定工作。
7. 符合RoHS标准,环保且无铅工艺制造。
PBSS4021NT适用于多种电子电路应用,例如:
1. 开关电源中的同步整流和DC-DC转换器。
2. 电池保护电路及负载开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 消费类电子产品中的电源管理模块。
5. 通信设备中的信号切换和功率调节。
6. 工业自动化领域的控制单元。
由于其高效能和小尺寸的特点,这款MOSFET特别适合需要高密度集成和低功耗的应用场景。
PBSS4020NT
AO3400
SI2302DS
FDMQ8203